Пятница, 05.09.2025, 17:51
Приветствую Вас Гость | RSS
БЛАГОЧЕСТИЕ
Главная
Регистрация
Вход
Меню сайта

Наш опрос
Оцените мой сайт
Всего ответов: 5

Статистика

Онлайн всего: 1
Гостей: 1
Пользователей: 0

Главная » 2014 » Июль » 10 » СИБИРЬЮ ПРОЦВЕТАЕТ РОССИЯ
18:51
СИБИРЬЮ ПРОЦВЕТАЕТ РОССИЯ

В Томске создается производство элементной базы на основе GaAs-технологии

 
10.07.2014
Предприятие планируется создать в ОЭЗ «Томск» на базе компании «Субмикронные технологии» — ведущей разработку элементной базы СВЧ–диапазона на основе арсенид-галлиевой (GaAs) технологии для систем телекоммуникаций и радиолокации.
 
«Россия существенно отстает от мирового сообщества по развитию кремниевой и арсенидгаллиевой микроэлектроники, поэтому речь идет не сколько об инновациях, сколько о догоняющей модернизации, — говорит директор ООО «Субмикронные технологии» Валерий Кагадей. — Наши микросхемы уникальны для России, а технологические особенности их изготовления могут сделать нашу продукцию конкурентоспособной и на мировом рынке». 
 
В компании «Субмикронные технологии» разрабатывают новые продукты и технологии производства монолитных схем на арсениде и нитриде галлия. По сравнению с кремниевыми микросхемами, арсенид-галлиевые обладают рядом преимуществ. Высокая подвижность носителей заряда позволяет GaAs приборам работать на частотах до 300 ГГц и выше, иметь лучшую динамику, меньший шум.
 
Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия имеют более высокую радиационную стойкость, чем кремниевые ИС, поэтому могут использоваться в условиях космоса, обеспечивая высокоскоростную передачу данных и телевещание. Транзисторы на основе нитрида галлия по своим частотным свойствам похожи на арсенидгаллиевые, но сохраняют работоспособность при более высоких температурах и напряжениях, поэтому этот материал крайне привлекателен для создания мощных и сверхмощных СВЧ усилителей. 
 
«Наша цель — создание высокоэффективного производства сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на основе арсенида и нитрида галлия, оборудованного по самым высоким мировым стандартам и способного удовлетворить растущий спрос отечественных изготовителей электронной техники СВЧ», — подчеркивает Валерий Кагадей. 
 
По его словам, после завершения основных научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ на базе ООО «Субмикронные технологии» будет создано предприятие, учредителями которого выступят ЗАО «НПФ «Микран» и ОАО «Концерн радиостроения «Вега».
 
Материнские компании обеспечат и гарантированное потребление части продукции, что наряду с быстрой доставкой и низкими транспортными расходами является конкурентным преимуществом проекта. Концерн радиостроения «Вега» сейчас ведет проектирование лабораторно-производственного корпуса на территории Южной площадки ОЭЗ «Томск». Планируется, что численность работников на производстве после завершения проекта составит более сотни человек.
 
«Основными потребителями станут учредители нового предприятия — НПФ «Микран» и концерн «Вега», — подтверждает Валерий Кагадей. — Микросхемы будут интегрироваться в модули, изготовленные на «Микране», а затем в конечную продукцию средств связи и передачи данных, а также в контрольно-измерительную аппаратуру СВЧ. Мы планируем, что будет спрос и со стороны других российских предприятий радиоэлектронной промышленности». 
 
ООО «Субмикронные технологии» — дочернее предприятие НПФ «Микран», с 17 сентября 2007 года является резидентом ОЭЗ «Томск». Основная деятельность предприятия связана с разработкой и внедрением на рынок широкой номенклатуры СВЧ монолитных интегральных схем для создания современных радиолокационных, телекоммуникационных и информационных систем. 
Просмотров: 308 | Добавил: nikolavn | Теги: наши микросхемы, Россия существенно отстаёт | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Имя *:
Email *:
Код *:
Вход на сайт

Поиск

Календарь
«  Июль 2014  »
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
 123456
78910111213
14151617181920
21222324252627
28293031

Архив записей

Друзья сайта
  • Официальный блог
  • Сообщество uCoz
  • FAQ по системе
  • Инструкции для uCoz


  • Copyright MyCorp © 2025
    Сайт создан в системе uCoz